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Microchip Technology - DN3525N8-G

KEY Part #: K6392886

DN3525N8-G Preços (USD) [180152pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.21035
  • 2,000 pcs$0.20930
Número da peça:
DN3525N8-G
Fabricante:
Microchip Technology
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 250V 360MA SOT89-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs - Módulos, Módulos de driver de energia and Transistores - Propósito Específico ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Microchip Technology DN3525N8-G electronic components. DN3525N8-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DN3525N8-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DN3525N8-G Atributos do produto

Número da peça : DN3525N8-G
Fabricante : Microchip Technology
Descrição : MOSFET N-CH 250V 360MA SOT89-3
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 250V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 360mA (Tj)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 200mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 350pF @ 25V
Recurso FET : Depletion Mode
Dissipação de energia (máx.) : 1.6W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-243AA (SOT-89)
Pacote / caso : TO-243AA
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