RQ6E085BNTCR Preços (USD) [280423pcs Estoque]
- 1 pcs$0.13190
- 3,000 pcs$0.11128
- Número da peça:
- RQ6E085BNTCR
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - IGBTs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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RQ6E085BNTCR Atributos do produto
Número da peça :
RQ6E085BNTCR
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
8.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14.4 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
32.7nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1350pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.25W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-457
Pacote / caso :
SC-74, SOT-457
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