ON Semiconductor - NVMFS6H800NT1G

KEY Part #: K6397126

NVMFS6H800NT1G Preços (USD) [63689pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.61392

Número da peça:
NVMFS6H800NT1G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
TRENCH 8 80V NFET.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFS6H800NT1G Atributos do produto

Número da peça : NVMFS6H800NT1G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : TRENCH 8 80V NFET
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 28A (Ta), 203A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.1 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 330µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 85nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 5530pF @ 40V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacote / caso : 8-PowerTDFN, 5 Leads

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