Taiwan Semiconductor Corporation - TSM650P03CX RFG

KEY Part #: K6397086

TSM650P03CX RFG Preços (USD) [1012793pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.03652

Número da peça:
TSM650P03CX RFG
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição detalhada:
MOSFET P-CHANNEL 30V 4.1A SOT23.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - JFETs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Propósito Específico and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM650P03CX RFG Atributos do produto

Número da peça : TSM650P03CX RFG
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição : MOSFET P-CHANNEL 30V 4.1A SOT23
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4.1A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 6.4nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 810pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.56W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-23
Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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