Taiwan Semiconductor Corporation - TSM3443CX6 RFG

KEY Part #: K6416214

TSM3443CX6 RFG Preços (USD) [806219pcs Estoque]

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Número da peça:
TSM3443CX6 RFG
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição detalhada:
MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT26.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM3443CX6 RFG Atributos do produto

Número da peça : TSM3443CX6 RFG
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição : MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT26
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4.7A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 9nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 640pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-26
Pacote / caso : SOT-23-6