SI7212DN-T1-GE3 Preços (USD) [153209pcs Estoque]
- 1 pcs$0.24142
- 3,000 pcs$0.20404
- Número da peça:
- SI7212DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SI7212DN-T1-GE3 electronic components. SI7212DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7212DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI7212DN-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SI7212DN-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
36 mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.6V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
11nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Potência - Max :
1.3W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
PowerPAK® 1212-8 Dual
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® 1212-8 Dual
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