EPC2001C Preços (USD) [41490pcs Estoque]
- 1 pcs$0.98973
- 2,500 pcs$0.98481
- Número da peça:
- EPC2001C
- Fabricante:
- EPC
- Descrição detalhada:
- GANFET TRANS 100V 36A BUMPED DIE.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Single, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Matrizes and Tiristores - SCRs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in EPC EPC2001C electronic components. EPC2001C can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2001C, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
EPC2001C Atributos do produto
Número da peça :
EPC2001C
Fabricante :
EPC
Descrição :
GANFET TRANS 100V 36A BUMPED DIE
Series :
eGaN®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
36A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
9nC @ 5V
Vgs (máx.) :
+6V, -4V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
900pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
-
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Die Outline (11-Solder Bar)
Pacote / caso :
Die
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