Infineon Technologies - BSS138NH6433XTMA1

KEY Part #: K6416500

BSS138NH6433XTMA1 Preços (USD) [1532133pcs Estoque]

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  • 10,000 pcs$0.01605

Número da peça:
BSS138NH6433XTMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - RF and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSS138NH6433XTMA1 Atributos do produto

Número da peça : BSS138NH6433XTMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23
Series : SIPMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 230mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.5 Ohm @ 230mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 26µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 1.4nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 41pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 360mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-23-3
Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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