IRF9310PBF Preços (USD) [8637pcs Estoque]
- 1 pcs$0.77767
- 10 pcs$0.68945
- 100 pcs$0.54491
- 500 pcs$0.42258
- 1,000 pcs$0.31559
- Número da peça:
- IRF9310PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável and Diodos - Zener - Single ...
- Vantagem competitiva:
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IRF9310PBF Atributos do produto
Número da peça :
IRF9310PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
20A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
165nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
5250pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.5W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SO
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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