Rohm Semiconductor - RV2C010UNT2L

KEY Part #: K6393248

RV2C010UNT2L Preços (USD) [1574434pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.02597
  • 8,000 pcs$0.02584

Número da peça:
RV2C010UNT2L
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 20V 1A VML1006.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Módulos de driver de energia ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RV2C010UNT2L Atributos do produto

Número da peça : RV2C010UNT2L
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 20V 1A VML1006
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 470 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (máx.) : ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 40pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 400mW (Ta)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DFN1006-3 (VML1006)
Pacote / caso : SC-101, SOT-883

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