Diodes Incorporated - DMT6010LSS-13

KEY Part #: K6403602

DMT6010LSS-13 Preços (USD) [142945pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.25875
  • 2,500 pcs$0.22901

Número da peça:
DMT6010LSS-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET BVDSS 41V 60V SO-8 TR 2.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável and Transistores - JFETs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT6010LSS-13 Atributos do produto

Número da peça : DMT6010LSS-13
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET BVDSS 41V 60V SO-8 TR 2
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 14A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 41.3nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2090pF @ 30V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.5W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SO
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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