SCT3120ALGC11 Preços (USD) [12256pcs Estoque]
- 1 pcs$2.59572
- Número da peça:
- SCT3120ALGC11
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET NCH 650V 21A TO247N.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Rohm Semiconductor SCT3120ALGC11 electronic components. SCT3120ALGC11 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SCT3120ALGC11, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SCT3120ALGC11 Atributos do produto
Número da peça :
SCT3120ALGC11
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
MOSFET NCH 650V 21A TO247N
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
SiCFET (Silicon Carbide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
21A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
156 mOhm @ 6.7A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.6V @ 3.33mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
38nC @ 18V
Vgs (máx.) :
+22V, -4V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
460pF @ 500V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
103W (Tc)
Temperatura de operação :
175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247N
Pacote / caso :
TO-247-3
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