Rohm Semiconductor - SCT3120ALGC11

KEY Part #: K6416110

SCT3120ALGC11 Preços (USD) [12256pcs Estoque]

  • 1 pcs$2.59572

Número da peça:
SCT3120ALGC11
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET NCH 650V 21A TO247N.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - TRIACs, Diodos - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SCT3120ALGC11 Atributos do produto

Número da peça : SCT3120ALGC11
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : MOSFET NCH 650V 21A TO247N
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : SiCFET (Silicon Carbide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 21A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 156 mOhm @ 6.7A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.6V @ 3.33mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 38nC @ 18V
Vgs (máx.) : +22V, -4V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 460pF @ 500V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 103W (Tc)
Temperatura de operação : 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247N
Pacote / caso : TO-247-3

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