Infineon Technologies - IRFIZ48N

KEY Part #: K6415023

[12552pcs Estoque]


    Número da peça:
    IRFIZ48N
    Fabricante:
    Infineon Technologies
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 55V 36A TO220FP.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Módulos de driver de energia and Diodos - RF ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Infineon Technologies IRFIZ48N electronic components. IRFIZ48N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFIZ48N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFIZ48N Atributos do produto

    Número da peça : IRFIZ48N
    Fabricante : Infineon Technologies
    Descrição : MOSFET N-CH 55V 36A TO220FP
    Series : HEXFET®
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 55V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 36A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 22A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 89nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1900pF @ 25V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 42W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Tipo de montagem : Through Hole
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220AB Full-Pak
    Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack

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