IXYS - IXTA08N100D2HV

KEY Part #: K6395195

IXTA08N100D2HV Preços (USD) [41564pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.94072

Número da peça:
IXTA08N100D2HV
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes and Diodos - Zener - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTA08N100D2HV Atributos do produto

Número da peça : IXTA08N100D2HV
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 800mA (Tj)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21 Ohm @ 400mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 25µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 14.6nC @ 5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 325pF @ 25V
Recurso FET : Depletion Mode
Dissipação de energia (máx.) : 60W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-263HV
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB