DMJ70H1D3SJ3 Preços (USD) [98319pcs Estoque]
- 1 pcs$0.39770
- 75 pcs$0.37345
- Número da peça:
- DMJ70H1D3SJ3
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH TO251.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs, Diodos - Zener - Single and Tiristores - SCRs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMJ70H1D3SJ3 electronic components. DMJ70H1D3SJ3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMJ70H1D3SJ3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMJ70H1D3SJ3 Atributos do produto
Número da peça :
DMJ70H1D3SJ3
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET N-CH TO251
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
700V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4.6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
13.9nC @ 10V
Vgs (máx.) :
-
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
351pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
41W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 155°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-251
Pacote / caso :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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