Vishay Siliconix - SI7141DP-T1-GE3

KEY Part #: K6416905

SI7141DP-T1-GE3 Preços (USD) [78670pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.49702
  • 3,000 pcs$0.46566

Número da peça:
SI7141DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - RF and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7141DP-T1-GE3 Atributos do produto

Número da peça : SI7141DP-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Series : TrenchFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 60A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.9 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 400nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 14300pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerPAK® SO-8
Pacote / caso : PowerPAK® SO-8

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