IXYS - IXFX100N65X2

KEY Part #: K6398127

IXFX100N65X2 Preços (USD) [7203pcs Estoque]

  • 1 pcs$6.29320
  • 10 pcs$5.72029
  • 100 pcs$4.86224
  • 500 pcs$4.14721

Número da peça:
IXFX100N65X2
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Unijunction Programável and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFX100N65X2 Atributos do produto

Número da peça : IXFX100N65X2
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247
Series : HiPerFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 4mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 180nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 11300pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1040W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PLUS247™-3
Pacote / caso : TO-247-3

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