IXYS - IXFA4N100Q-TRL

KEY Part #: K6399277

IXFA4N100Q-TRL Preços (USD) [25241pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.88710
  • 800 pcs$1.87771

Número da peça:
IXFA4N100Q-TRL
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - TRIACs and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFA4N100Q-TRL Atributos do produto

Número da peça : IXFA4N100Q-TRL
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
Series : HiPerFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1050pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 150W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-263 (IXFA)
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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