Microsemi Corporation - APTMC60TLM14CAG

KEY Part #: K6522595

APTMC60TLM14CAG Preços (USD) [55pcs Estoque]

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Número da peça:
APTMC60TLM14CAG
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
MOSFET 4N-CH 1200V 219A SP6C.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTMC60TLM14CAG Atributos do produto

Número da peça : APTMC60TLM14CAG
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : MOSFET 4N-CH 1200V 219A SP6C
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : 4 N-Channel (Three Level Inverter)
Recurso FET : Silicon Carbide (SiC)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 219A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 150A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 30mA (Typ)
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 483nC @ 20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 8400pF @ 1000V
Potência - Max : 925W
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : SP6
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SP6