[2797pcs Estoque]
- Número da peça:
- SPP11N60CFDHKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 11A TO-220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - TRIACs and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies SPP11N60CFDHKSA1 electronic components. SPP11N60CFDHKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPP11N60CFDHKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SPP11N60CFDHKSA1 Atributos do produto
Número da peça :
SPP11N60CFDHKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
Series :
CoolMOS™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
11A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
440 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 500µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
64nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1200pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
125W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO220-3-1
Pacote / caso :
TO-220-3
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