Toshiba Semiconductor and Storage - TPC8032-H(TE12LQM)

KEY Part #: K6407768

[859pcs Estoque]


    Número da peça:
    TPC8032-H(TE12LQM)
    Fabricante:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 30V 15A SOP8 2-6J1B.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - Propósito Específico ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    TPC8032-H(TE12LQM) Atributos do produto

    Número da peça : TPC8032-H(TE12LQM)
    Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrição : MOSFET N-CH 30V 15A SOP8 2-6J1B
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 15A (Ta)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : -
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.5 mOhm @ 7.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 33nC @ 10V
    Vgs (máx.) : -
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2846pF @ 10V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : -
    Temperatura de operação : 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SOP (5.5x6.0)
    Pacote / caso : 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

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