PSMN1R8-30PL,127 Preços (USD) [36388pcs Estoque]
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- 10 pcs$0.96957
- 100 pcs$0.77900
- 500 pcs$0.60589
- 1,000 pcs$0.50202
- Número da peça:
- PSMN1R8-30PL,127
- Fabricante:
- Nexperia USA Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V TO220AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Propósito Específico and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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PSMN1R8-30PL,127 Atributos do produto
Número da peça :
PSMN1R8-30PL,127
Fabricante :
Nexperia USA Inc.
Descrição :
MOSFET N-CH 30V TO220AB
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.15V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
170nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
10180pF @ 12V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
270W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3
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