TSM10NC60CF C0G Preços (USD) [67281pcs Estoque]
- 1 pcs$0.58116
- Número da peça:
- TSM10NC60CF C0G
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 10A ITO220S.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Tiristores - SCRs ...
- Vantagem competitiva:
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TSM10NC60CF C0G Atributos do produto
Número da peça :
TSM10NC60CF C0G
Fabricante :
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 10A ITO220S
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
10A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
750 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
33nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1652pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
45W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
ITO-220S
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack
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