IRFB38N20DPBF Preços (USD) [39965pcs Estoque]
- 1 pcs$0.94072
- 10 pcs$0.85000
- 100 pcs$0.68297
- 500 pcs$0.53120
- 1,000 pcs$0.44013
- Número da peça:
- IRFB38N20DPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 200V 43A TO-220AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Zener - Single, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
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IRFB38N20DPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRFB38N20DPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 200V 43A TO-220AB
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
43A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
54 mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
91nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2900pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.8W (Ta), 300W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3
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