STD1NK60T4 Preços (USD) [209121pcs Estoque]
- 1 pcs$0.17687
- 2,500 pcs$0.14824
- Número da peça:
- STD1NK60T4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 1A DPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Vantagem competitiva:
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STD1NK60T4 Atributos do produto
Número da peça :
STD1NK60T4
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
Series :
SuperMESH™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.7V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
10nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
156pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
30W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DPAK
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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