STL110NS3LLH7 Preços (USD) [12437pcs Estoque]
- 3,000 pcs$0.23754
- Número da peça:
- STL110NS3LLH7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 120A POWERFLAT.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Tiristores - SCRs ...
- Vantagem competitiva:
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STL110NS3LLH7 Atributos do produto
Número da peça :
STL110NS3LLH7
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 120A POWERFLAT
Series :
STripFET™ H7
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
120A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.4 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
13.7nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2110pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
4W (Ta), 75W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerFlat™ (5x6)
Pacote / caso :
8-PowerVDFN
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