Toshiba Semiconductor and Storage - TK35N65W5,S1F

KEY Part #: K6416344

TK35N65W5,S1F Preços (USD) [13802pcs Estoque]

  • 1 pcs$4.00596

Número da peça:
TK35N65W5,S1F
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 650V 35A TO-247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Módulos de driver de energia, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - JFETs and Tiristores - SCRs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK35N65W5,S1F Atributos do produto

Número da peça : TK35N65W5,S1F
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
Series : DTMOSIV
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 35A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 95 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 2.1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 115nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4100pF @ 300V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 270W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247
Pacote / caso : TO-247-3

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