DMT6015LSS-13 Preços (USD) [289449pcs Estoque]
- 1 pcs$0.12779
- 2,500 pcs$0.11355
- Número da peça:
- DMT6015LSS-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CHA 60V 9.2A SO8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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DMT6015LSS-13 Atributos do produto
Número da peça :
DMT6015LSS-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET N-CHA 60V 9.2A SO8
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
9.2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
16 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
18.9nC @ 30V
Vgs (máx.) :
±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1103pF @ 30V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.5W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SO
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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