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Microsemi Corporation - APTM100SK33T1G

KEY Part #: K6396615

APTM100SK33T1G Preços (USD) [3038pcs Estoque]

  • 1 pcs$14.25361
  • 100 pcs$14.01469
Número da peça:
APTM100SK33T1G
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 1000V 23A SP1.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - SCRs - Módulos and Tiristores - SCRs ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Microsemi Corporation APTM100SK33T1G electronic components. APTM100SK33T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM100SK33T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM100SK33T1G Atributos do produto

Número da peça : APTM100SK33T1G
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : MOSFET N-CH 1000V 23A SP1
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 23A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 396 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 305nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 7868pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 390W (Tc)
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SP1
Pacote / caso : SP1

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