DMN3022LFG-13 Preços (USD) [210932pcs Estoque]
- 1 pcs$0.17535
- Número da peça:
- DMN3022LFG-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET BVDSS 25V-30V POWERDI333.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN3022LFG-13 electronic components. DMN3022LFG-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN3022LFG-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN3022LFG-13 Atributos do produto
Número da peça :
DMN3022LFG-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET BVDSS 25V-30V POWERDI333
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
7.6A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22 mOhm @ 10A, 5V, 8 mOhm @ 10A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
481pF @ 15V, 996pF @ 15V
Potência - Max :
1.96W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-PowerLDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerDI3333-8
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