IXYS - IXTH26P20P

KEY Part #: K6398032

IXTH26P20P Preços (USD) [14657pcs Estoque]

  • 1 pcs$3.23474
  • 10 pcs$2.88879
  • 100 pcs$2.36881
  • 500 pcs$1.91816
  • 1,000 pcs$1.61772

Número da peça:
IXTH26P20P
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 200V 26A TO-247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Módulos de driver de energia, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Diodos - Zener - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH26P20P Atributos do produto

Número da peça : IXTH26P20P
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET P-CH 200V 26A TO-247
Series : PolarP™
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 26A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 56nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2740pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 300W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247 (IXTH)
Pacote / caso : TO-247-3

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