FDFMA3N109 Preços (USD) [296432pcs Estoque]
- 1 pcs$0.12540
- 3,000 pcs$0.12478
- Número da peça:
- FDFMA3N109
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Propósito Específico and Diodos - retificadores de ponte ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDFMA3N109 electronic components. FDFMA3N109 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDFMA3N109, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDFMA3N109 Atributos do produto
Número da peça :
FDFMA3N109
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2.9A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
123 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
3nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
220pF @ 15V
Recurso FET :
Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.) :
1.5W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
6-MicroFET (2x2)
Pacote / caso :
6-VDFN Exposed Pad
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