Rohm Semiconductor - R8005ANJFRGTL

KEY Part #: K6393523

R8005ANJFRGTL Preços (USD) [66586pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.58721

Número da peça:
R8005ANJFRGTL
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrição detalhada:
R8005ANJ FRG IS A POWER MOSFET W.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Módulos de driver de energia ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

R8005ANJFRGTL Atributos do produto

Número da peça : R8005ANJFRGTL
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : R8005ANJ FRG IS A POWER MOSFET W
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.1 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 500pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 120W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : LPTS
Pacote / caso : SC-83

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