NVMFS5C645NLAFT3G Preços (USD) [178758pcs Estoque]
- 1 pcs$0.20691
- 5,000 pcs$0.16780
- Número da peça:
- NVMFS5C645NLAFT3G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 22A 100A 5DFN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - Unijunction Programável ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor NVMFS5C645NLAFT3G electronic components. NVMFS5C645NLAFT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMFS5C645NLAFT3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NVMFS5C645NLAFT3G Atributos do produto
Número da peça :
NVMFS5C645NLAFT3G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 22A 100A 5DFN
Series :
Automotive, AEC-Q101
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
22A (Ta), 100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
34nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2200pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.7W (Ta), 79W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacote / caso :
8-PowerTDFN, 5 Leads
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