Vishay Siliconix - SIHA24N65EF-E3

KEY Part #: K6399644

SIHA24N65EF-E3 Preços (USD) [14431pcs Estoque]

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  • 1,000 pcs$1.42862

Número da peça:
SIHA24N65EF-E3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET N-CHANNEL 650V 24A TO220.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - JFETs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHA24N65EF-E3 Atributos do produto

Número da peça : SIHA24N65EF-E3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CHANNEL 650V 24A TO220
Series : E
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 24A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 156 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 122nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2774pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 39W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220 Full Pack
Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack

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