SQA470EEJ-T1_GE3 Preços (USD) [408942pcs Estoque]
- 1 pcs$0.09045
- Número da peça:
- SQA470EEJ-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK SC-70.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Unijunction Programável and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
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SQA470EEJ-T1_GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SQA470EEJ-T1_GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK SC-70
Series :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2.25A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
56 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.6V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
5.2nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
453pF @ 20V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
13.6W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® SC-70-6 Single
Pacote / caso :
PowerPAK® SC-70-6
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