DMN2400UFDQ-13 Preços (USD) [8794pcs Estoque]
- 10,000 pcs$0.03810
- Número da peça:
- DMN2400UFDQ-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - SCRs, Diodos - Zener - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Unijunction Programável and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN2400UFDQ-13 electronic components. DMN2400UFDQ-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN2400UFDQ-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN2400UFDQ-13 Atributos do produto
Número da peça :
DMN2400UFDQ-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
900mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
600 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
0.5nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
37pF @ 16V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
400mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
U-DFN1212-3 (Type C)
Pacote / caso :
3-PowerUDFN
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