RQ3E120ATTB Preços (USD) [437219pcs Estoque]
- 1 pcs$0.09352
- 3,000 pcs$0.09306
- Número da peça:
- RQ3E120ATTB
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Zener - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Módulos and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Rohm Semiconductor RQ3E120ATTB electronic components. RQ3E120ATTB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RQ3E120ATTB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RQ3E120ATTB Atributos do produto
Número da peça :
RQ3E120ATTB
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
12A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
62nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3200pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2W (Ta)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-HSMT (3.2x3)
Pacote / caso :
8-PowerVDFN
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