Vishay Siliconix - SIA511DJ-T1-GE3

KEY Part #: K6524233

[3900pcs Estoque]


    Número da peça:
    SIA511DJ-T1-GE3
    Fabricante:
    Vishay Siliconix
    Descrição detalhada:
    MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Vishay Siliconix SIA511DJ-T1-GE3 electronic components. SIA511DJ-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIA511DJ-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SIA511DJ-T1-GE3 Atributos do produto

    Número da peça : SIA511DJ-T1-GE3
    Fabricante : Vishay Siliconix
    Descrição : MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
    Series : TrenchFET®
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N and P-Channel
    Recurso FET : Logic Level Gate
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 12V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4.5A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 8V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 400pF @ 6V
    Potência - Max : 6.5W
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote / caso : PowerPAK® SC-70-6 Dual
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerPAK® SC-70-6 Dual

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