IXFT58N20Q Preços (USD) [8356pcs Estoque]
- 30 pcs$5.46615
- Número da peça:
- IXFT58N20Q
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 200V 58A TO-268.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Single, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - TRIACs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXFT58N20Q electronic components. IXFT58N20Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFT58N20Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFT58N20Q Atributos do produto
Número da peça :
IXFT58N20Q
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 200V 58A TO-268
Series :
HiPerFET™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
58A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
40 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 4mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
140nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3600pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
300W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-268
Pacote / caso :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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