ON Semiconductor - FQB8N60CTM-WS

KEY Part #: K6402915

[8772pcs Estoque]


    Número da peça:
    FQB8N60CTM-WS
    Fabricante:
    ON Semiconductor
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 600V 7.5A.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Diodos - Zener - Single ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQB8N60CTM-WS Atributos do produto

    Número da peça : FQB8N60CTM-WS
    Fabricante : ON Semiconductor
    Descrição : MOSFET N-CH 600V 7.5A
    Series : QFET®
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 7.5A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±30V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1255pF @ 25V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 3.13W (Ta), 147W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D²PAK (TO-263AB)
    Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB