Nexperia USA Inc. - PHB18NQ10T,118

KEY Part #: K6420867

PHB18NQ10T,118 Preços (USD) [274771pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.13529
  • 4,800 pcs$0.13461

Número da peça:
PHB18NQ10T,118
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - Unijunction Programável ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Nexperia USA Inc. PHB18NQ10T,118 electronic components. PHB18NQ10T,118 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PHB18NQ10T,118, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PHB18NQ10T,118 Atributos do produto

Número da peça : PHB18NQ10T,118
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrição : MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK
Series : TrenchMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 18A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 633pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 79W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D2PAK
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Você também pode estar interessado em