Rohm Semiconductor - RCX511N25

KEY Part #: K6398387

RCX511N25 Preços (USD) [30461pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.48957
  • 10 pcs$1.34369
  • 100 pcs$1.02447
  • 500 pcs$0.79680
  • 1,000 pcs$0.66020

Número da peça:
RCX511N25
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 250V 51A TO220.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Unijunction Programável and Diodos - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RCX511N25 Atributos do produto

Número da peça : RCX511N25
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 250V 51A TO220
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 250V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 51A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 120nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 7000pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.23W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220FM
Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack

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