[8485pcs Estoque]
- Número da peça:
- TPCF8101(TE85L,F,M
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 12V 6A VS-8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8101(TE85L,F,M electronic components. TPCF8101(TE85L,F,M can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPCF8101(TE85L,F,M, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPCF8101(TE85L,F,M Atributos do produto
Número da peça :
TPCF8101(TE85L,F,M
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET P-CH 12V 6A VS-8
Series :
U-MOSIII
Status da Peça :
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
6A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
28 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 200µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
18nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1600pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
700mW (Ta)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
VS-8 (2.9x1.5)
Pacote / caso :
8-SMD, Flat Lead
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