ON Semiconductor - NVATS68301PZT4G

KEY Part #: K6393329

NVATS68301PZT4G Preços (USD) [91085pcs Estoque]

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Número da peça:
NVATS68301PZT4G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET P-CHANNEL 100V 31A DPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVATS68301PZT4G Atributos do produto

Número da peça : NVATS68301PZT4G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET P-CHANNEL 100V 31A DPAK
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 31A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 75 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 55nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2850pF @ 20V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 84W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DPAK
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63