SSM3J35CT,L3F Preços (USD) [2200504pcs Estoque]
- 1 pcs$0.01681
- Número da peça:
- SSM3J35CT,L3F
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Propósito Específico, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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SSM3J35CT,L3F Atributos do produto
Número da peça :
SSM3J35CT,L3F
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3
Series :
π-MOSVI
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
100mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.2V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (máx.) :
±10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
12.2pF @ 3V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
100mW (Ta)
Temperatura de operação :
150°C
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
CST3
Pacote / caso :
SC-101, SOT-883
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