IXTP08N100D2 Preços (USD) [56000pcs Estoque]
- 1 pcs$0.76930
- 10 pcs$0.69530
- 100 pcs$0.55879
- 500 pcs$0.43461
- 1,000 pcs$0.34064
- Número da peça:
- IXTP08N100D2
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO220AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - JFETs, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - TRIACs and Transistores - IGBTs - Single ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXTP08N100D2 electronic components. IXTP08N100D2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP08N100D2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTP08N100D2 Atributos do produto
Número da peça :
IXTP08N100D2
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO220AB
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
800mA (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
21 Ohm @ 400mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
14.6nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
325pF @ 25V
Recurso FET :
Depletion Mode
Dissipação de energia (máx.) :
60W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3
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