FCP190N65F Preços (USD) [49535pcs Estoque]
- 1 pcs$0.88051
- 800 pcs$0.87613
- Número da peça:
- FCP190N65F
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Módulos de driver de energia, Transistores - JFETs and Transistores - Propósito Específico ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FCP190N65F electronic components. FCP190N65F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCP190N65F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FCP190N65F Atributos do produto
Número da peça :
FCP190N65F
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3
Series :
FRFET®, SuperFET® II
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
20.6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 2mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
78nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3225pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
208W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220-3
Pacote / caso :
TO-220-3
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