Vishay Siliconix - SI1404BDH-T1-GE3

KEY Part #: K6392835

SI1404BDH-T1-GE3 Preços (USD) [390893pcs Estoque]

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  • 3,000 pcs$0.09462

Número da peça:
SI1404BDH-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - SCRs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Zener - Single and Diodos - Zener - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1404BDH-T1-GE3 Atributos do produto

Número da peça : SI1404BDH-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363
Series : TrenchFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.9A (Ta), 2.37A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 238 mOhm @ 1.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 2.7nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 100pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.32W (Ta), 2.28W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SC-70-6 (SOT-363)
Pacote / caso : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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