[2506pcs Estoque]
- Número da peça:
- FDFME2P823ZT
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - TRIACs and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDFME2P823ZT electronic components. FDFME2P823ZT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDFME2P823ZT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDFME2P823ZT Atributos do produto
Número da peça :
FDFME2P823ZT
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2.6A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
142 mOhm @ 2.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
7.7nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
405pF @ 10V
Recurso FET :
Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.) :
1.4W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
6-MicroFET (1.6x1.6)
Pacote / caso :
6-UFDFN Exposed Pad
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